[发明专利]一种新型逻辑保护射极耦合式栅极驱动系统无效

专利信息
申请号: 201410712351.5 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN104485804A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 高小英;车容俊 申请(专利权)人: 成都措普科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03F3/20;H05B37/02
代理公司: 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 代理人: 廉红果;陆庆红
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种新型逻辑保护射极耦合式栅极驱动系统,主要由驱动芯片M,与驱动芯片M相连接的驱动电路,与驱动芯片M相连接的开关功率放大电路,以及与该开关功率放大电路相连接的自举电路组成,其特征在于,在开关功率放大电路与驱动芯片M之间还串接有逻辑保护射极耦合式放大电路。本发明整体结构非常简单,其制作和使用非常方便。同时,本发明的启动时间仅为传统栅极驱动电路启动时间的1/4,其启动时间极短。
搜索关键词: 一种 新型 逻辑 保护 耦合 栅极 驱动 系统
【主权项】:
一种新型逻辑保护射极耦合式栅极驱动系统,主要由驱动芯片M,与驱动芯片M相连接的驱动电路,与驱动芯片M相连接的开关功率放大电路,以及与该开关功率放大电路相连接的自举电路组成,其特征在于,在开关功率放大电路与驱动芯片M之间还串接有逻辑保护射极耦合式放大电路;所述开关功率放大电路由功率放大器P1,功率放大器P2,功率放大器P3,串接在功率放大器P1的输出端与负极输入端之间的电阻R6和电容C3,串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻R7和电容C4,基极与功率放大器P1的输出端相连接、集电极经电阻R3后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q1,基极与三极管Q1的发射极相连接、集电极经电阻R8后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q2,基极经电阻R9后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R12后与三极管Q2的基极相连接的三极管Q3,正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q2的发射极相连接并接地的电容C5,与电阻R9相并联的电容C6,一端与三极管Q3的基极相连接、另一端外接‑4V电压的电阻R10,一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端外接‑4V电压的电阻R11,与电阻R11相并联的电容C7,N极与三极管Q1的集电极相连接、P极外接‑4V电压的二极管D1,以及正极与驱动芯片M的INP管脚相连接、负极与三极管Q2的发射极相连接后再接地的极性电容C8组成,所述功率放大器P3的输出端则与驱动芯片M的VCC管脚相连接;所述的自举电路则由场效应管MOS,一端与场效应管MOS的源极相连接、另一端接地的电阻R5,负极与场效应管MOS的栅极相连接、正极经电阻R1后与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C1,与极性电容C1相并联的电阻R2,正极与极性电容C1的正极相连接、负极与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C2,以及一端与极性电容C2的正极相连接、另一端接地的电阻R4组成;所述场效应管MOS的漏极与功率放大器P1的正极输入端相连接,且该漏极还同时外接+12V电压,场效应管MOS的源极则分别与功率放大器P1的负极输入端和功率放大器P2的正极输入端相连接,而功率放大器P2的负极输入端则接地;所述的逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q5,三极管Q6,功率放大器P4,功率放大器P5,串接在功率放大器P4的负极输入端与输出端之间的电阻R15,串接在功率放大器P5的正极输入端与输出端之间的极性电容C15,串接在功率放大器P4的正极输入端与三极管Q5的集电极之间的电阻R14,串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电阻R16,与电阻R16相并联的电容C14,负极与功率放大器P4的正极输入端相连接、正极经电阻R17后与三极管Q5的发射极相连接的极性电容C13,串接在三极管Q6的基极与极性电容C13的正极之间的电阻R18,正极与三极管Q6的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D3和电阻R19后与功率放大器P4的输出端相连接的电容C16,P极与功率放大器P5的输出端相连接、N极经电阻R21和电阻R20后与稳压二极管D3与电阻R19的连接点相连接的二极管D4,以及P极与电容C16的负极相连接、N极与二极管D4与电阻R21的连接点相连接的稳压二极管D5组成;所述三极管Q5的基极与极性电容C13的正极相连接,其发射极与三极管Q6的发射极相连接,其集电极与功率放大器P4的负极输入端相连接;三极管Q6的集电极与功率放大器P5的负极输入端相连接,功率放大器P5的正极输入端与功率放大器P4的输出端相连接;所述极性电容C13的正极与功率放大器P2的输出端相连接,电阻R21与电阻R20的连接点则与驱动芯片M的TD管脚相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都措普科技有限公司,未经成都措普科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410712351.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top