[发明专利]杂化颗粒及其制备方法、绝缘复合材料在审

专利信息
申请号: 201410712451.8 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN104497357A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 于淑会;罗遂斌;孙蓉 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C08K9/02 分类号: C08K9/02;C08K3/38;C08K3/28;C08K3/34;C08K3/22;C08K3/36;C08K3/26;C08K3/24;C08L63/00;C08L79/08;C08L67/00;C08L61/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种杂化颗粒及其制备方法,包括绝缘陶瓷颗粒以及负载在绝缘陶瓷颗粒表面的低熔点导电粒子;绝缘陶瓷颗粒的粒径比低熔点导电粒子的粒径大,并且低熔点导电粒子在绝缘陶瓷颗粒表面上呈颗粒状离散分布。本发明还公开了一种绝缘复合材料,包括具有电绝缘性的聚合物基体以及填充在聚合物基体内的上述杂化颗粒,相邻的杂化颗粒之间通过低熔点导电粒子熔融后连接起来形成导热通路但不形成导电通路。这种绝缘复合材料通过相邻的杂化颗粒之间形成的导热通路,增强了导热性能;同时由于相邻的杂化颗粒之间没有形成导热回路,绝缘复合材料依然具有电绝缘性。
搜索关键词: 颗粒 及其 制备 方法 绝缘 复合材料
【主权项】:
一种杂化颗粒,其特征在于,包括绝缘陶瓷颗粒以及负载在所述绝缘陶瓷颗粒表面的低熔点导电粒子;所述低熔点导电粒子的熔点为60℃~240℃,所述绝缘陶瓷颗粒的粒径为50nm~1μm,所述低熔点导电粒子的粒径为10nm~50nm,所述绝缘陶瓷颗粒的粒径比所述低熔点导电粒子的粒径大,并且所述低熔点导电粒子在所述绝缘陶瓷颗粒表面上呈颗粒状离散分布。
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