[发明专利]一种真空条件下同轴送粉激光熔覆方法及其专用加工装置在审

专利信息
申请号: 201410712592.X 申请日: 2014-11-28
公开(公告)号: CN105441935A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 线全刚;张重远;边舫;蔡静 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明的目的在于提供一种真空条件下同轴送粉激光熔覆方法,其特征在于,在真空条件下采用同轴送粉激光熔覆方法对材料进行加工,包括以下步骤:(1)采用有机溶剂对基材表面进行清洗处理;(2)将基材放入真空室中,采用真空机组对真空室进行抽真空;(3)采用激光器发射的激光束辐照在基材指定位置的表面使基材表面熔化,令基材表面形成熔池;(4)采用送粉器将合金粉末送入基材上的熔池中;(5)使基材表面冷却后合金粉末在基材表面形成涂层,完成制备。该方法能够防止出现氧化现象,并保证激光制备的准确性,有效提高试样激光熔覆的均匀性。
搜索关键词: 一种 真空 条件下 同轴 激光 方法 及其 专用 加工 装置
【主权项】:
一种真空条件下同轴送粉激光熔覆方法,其特征在于,在真空条件下采用同轴送粉激光熔覆方法对材料进行加工,包括以下步骤:(1)采用有机溶剂对基材表面进行清洗处理;(2)将基材放入真空室中,采用真空机组对真空室进行抽真空;(3)采用激光器发射的激光束辐照在基材指定位置的表面使基材表面熔化,令基材表面形成熔池;(4)采用送粉器将合金粉末送入基材上的熔池中;(5)使基材表面冷却后合金粉末在基材表面形成涂层,完成制备。
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