[发明专利]使用含氧前体的介电阻挡层沉积

摘要

本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。

主权项

1.一种在衬底上形成薄膜的方法，包括：提供直链烷基烷氧基硅烷前体，所述直链烷基烷氧基硅烷前体选自二甲基乙氧基硅烷、甲基乙氧基硅烷、甲基甲氧基硅烷、乙基乙氧基硅烷、乙基甲氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、乙烯基甲基甲氧基硅烷、式R_xR’_y(OR”)_z(OR’”)_aSi直链烷基烷氧基硅烷及其混合物，其中R、R”和R”’各单独地选自甲基、乙基或乙烯基；R’选自氢、甲基、乙基或乙烯基；且x、z和a各单独地为1‑3，y为0‑2，其中，x+y+z+a＝4；利用该前体的化学气相沉积反应在衬底上形成薄膜，其中，前体流在反应中的停留时间小于或等于85毫秒，其中，薄膜的密度大于1.8g/cc，且介电常数大于3.5且小于6.0，其中，所述衬底的温度为100℃至500℃。