[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 201410712963.4 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104752535B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郑淑;黄福林;刘远宏 | 申请（专利权）人： | 河北曹妃甸汉能光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 063200 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体材料及其制备方法和应用，其中，半导体材料的化学组成为CuInxGayR1‑x‑ySe2，其中，0＜x<1，0＜y＜0.5，并且x+y＜1，R为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ru、Sc和Y中的至少一种。该半导体材料可以用于太阳能电池的吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，包括：光吸收层，所述光吸收层是由半导体材料形成的，以及过渡层，所述过渡层形成于所述光吸收层上，所述过渡层是由所述半导体材料形成的，针对所述光吸收层和过渡层，所采用的半导体材料的化学组成不同；其中，所述半导体材料的化学组成为：CuInxGayR1‑x‑ySe2，0.5＜x<1，0＜y＜0.5，并且x+y＜1，R为选自Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy中的至少一种，其中，所述CuInxGayR1‑x‑ySe2为下列之一：CuIn0.6Ga0.3Sm0.1Se2；CuIn0.6Ga0.3Gd0.1Se2；CuIn0.7Ga0.2Nd0.1Se2；CuIn0.6Ga0.35Pm0.05Se2；CuIn0.6Ga0.35Eu0.05Se2；CuIn0.7Ga0.25Tb0.05Se2；以及CuIn0.56Ga0.42Dy0.02Se2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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