[发明专利]磁热复合控制复杂精密或薄壁铸件细晶铸造方法及装置有效
| 申请号： | 201410713316.5 | 申请日： | 2014-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104439203A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨院生;李应举;罗天骄;冯小辉;滕跃飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B22D27/08 | 分类号： | B22D27/08 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁热复合控制复杂精密或薄壁铸件细晶铸造方法及装置，属于金属材料制备技术领域。本发明方法是采用高过热度保证充型的基础上，控制脉冲磁场的施加时间，当模壁处晶核生长到1～10μm的情况下，利用施加的脉冲磁场在金属熔体产生电磁振荡和强制对流，将模壁处的晶核冲刷下来，并带入到熔体中去，此时脱落晶核尺寸较大，易存活下来成为有效形核核心，增加形核率，从而细化铸件凝固组织。本发明装置由脉冲磁场发生装置、脉冲磁场作用装置和温度控制系统组成。本发明涉及的方法和装置可用于高温合金、高合金钢等金属材料复杂精密铸件和大型薄壁复杂铸件的细晶铸造，能够细化合金凝固组织。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 控制 复杂 精密 薄壁 铸件 铸造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种磁热复合控制复杂精密或薄壁铸件细晶铸造方法，其特征在于，采用高过热度保证充型的基础上，过热度控制在100～250℃；控制脉冲磁场施加时间，施加时间控制在浇注后10～500s；当模壁处晶核生长到一定尺寸为1～10μm的情况下，利用施加的脉冲磁场在金属熔体产生电磁振荡和强制对流，将所述模壁处的晶核冲刷下来，并带入到熔体中去，此时脱落晶核尺寸较大，易存活下来成为有效形核核心，增加形核率，从而细化铸件凝固组织。
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