[发明专利]一种UV处理机台工艺性能的日常检查方法有效
申请号: | 201410714988.8 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104485299B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 王一;杨渝书;绍克坚;郭敏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种UV处理机台工艺状态的日常检查方法,包括以下步骤步骤1、将一硅光片送入一UV处理机台中,并将所述UV处理机台的工艺温度稳定在一基准值;步骤2、采用一UV光对所述硅光片进行照射,以得到UV处理机台在一段时间内的温度变化率;步骤3、对所述温度变化率进行监控。使用所述检查方法的有益效果为1)及时监控工艺条件执行完毕就可得到检查结果;2)准确通过传感器直接收集温度数据,可排除光阻差别等中间环节带来的误差;3)低成本降低了硅片、光阻、量测等的物料及机时成本;4)低风险降低了光阻片在使用固胶工艺监控及再生过程中的颗粒、胶残留对硅片及机台的污染等风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 uv 处理 机台 工艺 性能 日常 检查 方法 | ||
【主权项】:
一种UV处理机台工艺状态的日常检查方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、将一硅光片送入一UV处理机台中,并将所述UV处理机台的工艺温度稳定在一基准值;步骤2、采用一UV光对所述硅光片进行照射,以得到UV处理机台在一段时间内的温度变化率;步骤3、对所述温度变化率进行监控;在所述步骤3中,采用以下方式对所述温度变化率进行监控:将所述温度变化率与一温度变化率标准进行比较,若所述温度变化率符合所述温度变化率标准,则所述机台的工艺性能符合实际工艺要求,若所述温度变化率不符合所述温度变化率标准,则所述机台的工艺性能不符合实际工艺要求;在所述步骤2中,所述一段时间为小于5分钟;所述UV光的强度为小于1000mW/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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