[发明专利]一种二硫化钼纳米片层的剥离制备方法有效
| 申请号： | 201410717991.5 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104495935A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 卢红斌;董雷;林珊;李梦雄;张佳佳 | 申请（专利权）人： | 安徽百特新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 233000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钼（MoS2）纳米片层的剥离制备方法。通过在含有氧化剂的混合溶剂中搅拌或超声处理，原料二硫化钼被剥离并形成二硫化钼纳米片。该方法采用廉价试剂，于室温下操作，能耗低、无污染、效率高，制备的二硫化钼纳米片层可广泛应用于能量储存与转化、催化、润滑以及各种复合材料等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 剥离 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼纳米片层的剥离制备方法，其特征在于具体步骤如下：将原料二硫化钼粉末加入到含氧化剂的有机溶剂中，采用搅拌或超声处理方式处理10分钟 ~ 20小时，控制反应温度为0 ~ 100℃，使原料二硫化钼粉末被剥离成为二硫化钼纳米片；过滤、干燥，得到干燥的二硫化钼纳米片；其中：有机溶剂质量为原料二硫化钼的10 ~ 5000倍，氧化剂质量为有机溶剂质量的0.001 ~ 0.1倍。
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