[发明专利]半导体感测装置及制作方法有效
| 申请号： | 201410718153.X | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104849317B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 冉晓雯;蔡娟娟;余沛慈;庄明谚;叶佳俊 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/04;G01N27/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体感测装置及制作方法，半导体感测装置包括纳米线导电层、半导体感测层以及导电层，纳米线导电层包括多个相连的导电纳米线，其中这些导电纳米线之间形成间隙，半导体感测层电性连接纳米线导电层，导电层电性连接半导体感测层，半导体感测层配置于纳米线导电层与导电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体感测装置，其特征在于，包括：纳米线导电层，包括多个相连的导电纳米线，其中该些导电纳米线之间形成间隙；半导体感测层，电性连接该纳米线导电层；以及导电层，电性连接该半导体感测层，其中该半导体感测层配置于该纳米线导电层与该导电层之间。
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