[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 201410718708.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104979443A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 洪文庆 | 申请（专利权）人： | 锐晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件，包括缓冲层、发光层、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层以及调制掺杂半导体层。第一型掺杂半导体层位于缓冲层与发光层之间。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。调制掺杂半导体层位于缓冲层与第一型掺杂半导体层之间。调制掺杂半导体层中具有第一型掺质。第一型掺质的掺杂浓度随着调制掺杂半导体层的厚度变化而呈现周期性变化，且第一型掺质的平均掺杂浓度低于第一型掺杂半导体层的平均掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其特征在于，包括：缓冲层；发光层；第一型掺杂半导体层，位于该缓冲层与该发光层之间；第二型掺杂半导体层，其中该发光层配置于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间；以及调制掺杂半导体层，位于该缓冲层与该第一型掺杂半导体层之间，其中该调制掺杂半导体层中具有第一型掺质，而该第一型掺质的掺杂浓度随着该调制掺杂半导体层的厚度变化而呈现周期性变化，且该第一型掺质的平均掺杂浓度低于该第一型掺杂半导体层的平均掺杂浓度。
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