[发明专利]具有势垒高度渐变超晶格层的LED结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410719477.5 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104465914A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 逯瑶;曲爽;王成新;马旺;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有势垒高度渐变超晶格层的LED结构及其制备方法，该LED结构包括衬底，在衬底上自下至上依次设置有成核层、缓冲层、n型导电层、超晶格层、多量子阱层和p型导电层，所述超晶格层是交替生长的AlxGa1-x-yInyN超晶格阱和AluGa1-u-vInvN超晶格垒，重复周期2-50 个，其中0＜x≤u＜1，0＜v≤y＜1；由n型导电层至p型导电层方向的各个超晶格阱中x和y的取值恒定不变，各个超晶格垒中u的取值按等差数列逐渐降低，v的取值按等差数列逐渐增加。在MOCVD反应腔室中生长各层。本发明提高了对载流子的束缚能力，增强了电子和空穴波函数的空间重合率，有效减少电子泄露，增加载流子与空穴的复合效率，提高器件的发光效率，光输出功率提高5%。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 势垒高度 渐变 晶格 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有势垒高度渐变超晶格层的LED结构，包括衬底，在衬底上自下至上依次设置有成核层、缓冲层、n型导电层、超晶格层、多量子阱层和p型导电层，在n型导电层上和p型导电层上分别设置有欧姆接触层；其特征是：所述超晶格层是交替生长的AlxGa1‑x‑yInyN超晶格阱和AluGa1‑u‑vInvN超晶格垒，重复周期2‑50 个，其中0＜x≤u＜1，0＜v≤y＜1；由n型导电层至p型导电层方向的各个超晶格阱中x和y的取值恒定不变，各个超晶格垒中u的取值按等差数列逐渐降低，v的取值按等差数列逐渐增加。
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