[发明专利]黑矩阵结构及制备方法、阵列基板、彩膜基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201410720401.4 申请日: 2014-12-01
公开(公告)号: CN104375319B 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 占红明;林丽锋;邵喜斌;陈明;金雄;布占场;马禹;杨同华 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1362
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 柴亮,张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种黑矩阵结构及其制备方法、阵列基板、彩膜基板及显示装置,所述黑矩阵结构包括第一黑矩阵,以及所述第一黑矩阵围成的呈阵列分布的多个预定开口区域,每个预定开口区域内设置开口区,且至少一个预定开口区域内设置一个或间隔设置的多个第二黑矩阵,第二黑矩阵的边缘各处均与开口区接触,或者,其与第一黑矩阵的至少一条边接触,且与第一黑矩阵的每条边接触的长度小于该第一黑矩阵与第二黑矩阵接触的边的长度。所述黑矩阵结构在减少开口区面积的同时,可以降低观看者观察到黑矩阵图形的几率,从而可以改善“黑纹”不良。
搜索关键词: 矩阵 结构 制备 方法 阵列 彩膜基板 显示装置
【主权项】:
一种黑矩阵结构,包括第一黑矩阵,以及所述第一黑矩阵围成的呈阵列分布的多个预定开口区域,其特征在于,每个所述预定开口区域内设置开口区,且至少一个所述预定开口区域内设置一个或间隔设置的多个第二黑矩阵,所述第二黑矩阵与所述第一黑矩阵的至少一条边接触,且与所述第一黑矩阵的每条边接触的长度小于该所述第一黑矩阵与所述第二黑矩阵接触的边的长度。
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