[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一区域、第二区域和电阻区的半导体衬底，在所述第一区域上形成第一伪栅极，在所述第二区域上形成第二伪栅极，在所述电阻区上形成第三伪栅极，所述第三伪栅极上表面包括第一接触区、第二接触区和隔开区，在所述第一伪栅极上表面形成第一硬掩膜层，在所述第二伪栅极上表面形成第二硬掩膜层，在所述第三伪栅极上表面形成第三硬掩膜层，之后去除位于所述第一接触区和第二接触区上的所述第三硬掩膜层，以暴露所述第一接触区和第二接触区，最后在所述第一接触区和第二接触区形成金属硅化物。所述方法使良率大幅提高。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域、第二区域和电阻区；在所述第一区域上形成第一伪栅极，在所述第二区域上形成第二伪栅极，在所述电阻区上形成第三伪栅极，所述第三伪栅极上表面包括第一接触区、第二接触区和隔开区，所述隔开区将所述第一接触区和第二接触区隔开；在所述第一伪栅极上表面形成第一硬掩膜层，在所述第二伪栅极上表面形成第二硬掩膜层，在所述第三伪栅极上表面形成第三硬掩膜层；去除位于所述第一接触区和第二接触区上的所述第三硬掩膜层，以暴露所述第一接触区和第二接触区，去除位于所述第一接触区和第二接触区上的所述第三硬掩膜层，以暴露所述第一接触区和第二接触区的步骤包括：在所述第一硬掩膜层上表面和所述第一伪栅极两侧，所述第二区域上方，以及所述第三硬掩膜层上表面和所述第三伪栅极两侧形成侧墙材料层；刻蚀位于所述第二区域上方的所述侧墙材料层，并去除位于所述第一接触区和第二接触区上方的所述侧墙材料层；以剩余所述侧墙材料层为掩模，对所述第一接触区和第二接触区上的所述第三硬掩膜层进行刻蚀，直至去除部分厚度的所述第三硬掩膜层；对所述第一接触区和第二接触区上剩余的所述第三硬掩膜层进行刻蚀，直至暴露所述第一接触区和第二接触区；在所述第一接触区和第二接触区形成金属硅化物。