[发明专利]一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法

摘要

本发明公开了一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法，根据SiC光电探测器暗电流产生的来源及抑制他们的原理，利用不同生长方法在SiC紫外探测器器件表面制备SiO₂和SiN薄膜，分别考虑高低电场条件下各种薄膜对暗电流的抑制能力以及有效减少载流子在器件表面的复合，综合组合多层介质膜结构及生长技术条件，可进一步实现对SiC紫外光电探测器暗电流的抑制，有效提高其探测率。

主权项

一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用SiC的特点，在材料的Si面上干氧热氧化生长牺牲层，在1000度高温干氧气氛中在SiC表面生长一层SiOx，然后用氢氟酸去除并用热去离子水快速冲洗；步骤2：用干燥纯氮气快速吹干并立即置入氧化炉中，通过快速升温至1000度，先干氧氧化1小时，然后湿氧氧化4小时，再干氧氧化1小时，形成60nm后的SiOx层，在炉温不变的条件下，用氮气退火1小时，然后自然降温，在器件表面形成SiOx；步骤3：采用PECVD方法在热氧化SiOx薄膜上再生长一层300nm的SiOx层；步骤4：最后再采用PECVD方法生长200nmSiN薄膜，作为钝化层。