[发明专利]一种低频BOSCH深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410720961.X | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104465336A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 徐丽华;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/308;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低频BOSCH深硅刻蚀方法，该方法将BOSCH工艺和低频LF工艺相结合，采用低频脉冲功率源作为刻蚀工艺的下电极功率输入。该方法包括：紫外光刻胶图形的制备；各向异性刻蚀；各向同性沉积；刻蚀与沉积步骤交替进行N个周期；去除光刻胶。本发明的低频刻蚀工艺，能稳定地应用于不同图形、不同面积的硅的深刻蚀，能很好地控制刻蚀关键尺寸、陡直度，不宜出现长草现象，具有较高的选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低频 bosch 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种低频BOSCH深硅刻蚀方法，其特征在于，该方法采用频率为200～1000Hz的低频功率源作刻蚀系统的下电极电源，其包括以下步骤：(1)光刻胶图形的制备：在硅片上制备出所需光刻胶图形；(2)各向同性沉积：将制备好光刻胶图形的硅片置于刻蚀机中进行沉积，其中上电极功率为500～900W，下电极功率为1～3W，下电极频率为200～500Hz；(3)各向异性刻蚀：沉积后的硅片在刻蚀机中进行刻蚀，其中上电极功率为500～900W，下电极功率为7～10W，下电极频率为200～500Hz；(4)交替循环步骤(2)的沉积和步骤(3)的刻蚀过程，然后将刻蚀好的硅片去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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