[发明专利]使用氢氧化钾溶液显影UVIII的电子束光刻高分辨率图形的方法在审
| 申请号： | 201410722266.7 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104407499A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈宜方;邵金海;陆冰睿 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/32 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电子束光刻微纳加工领域，公开了一种使用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用化学放大光刻胶UVIII的方法。其步骤包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂六甲基二硅胺（HMDS）作为粘附层增加光刻胶和基片的粘接力；在基片上旋涂化学放大UVIII电子束光刻胶，前烘；电子束光刻，对UVIII进行曝光；对曝光后的光刻胶进行后烘；用配置的氢氧化钾溶液进行显影、用去离子水进行定影，用氮气枪吹干，得到光刻图形。利用本发明，解决了电子束用化学放大胶的显影问题，相对于传统的ShipleyCD26显影液具有成本低，制备简单，环境友好，可靠性高，得到的图形分辨率高，重复性好等优点，在微纳加工光学器件中有着广泛的应用背景。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氢氧化钾 溶液 显影 uviii 电子束光刻 高分辨率 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种电子束光刻高分辨率图形的方法，其特征在于采用用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用的化学放大UVIII胶，具体步骤为：步骤1. 清洗基片，烘干；步骤2. 在基片上旋涂液态HMDS作为粘附层，用于粘结UVIII和基片；步骤3. 旋涂UVIII光刻胶，前烘； 步骤4. 电子束光刻，对UVIII光刻胶进行曝光 ；步骤5. 对曝光后的基片进行热板后烘，对曝光后的UVIII光刻胶用0.5%~1.5%浓度的氢氧化钾溶液作为显影液显影，定影，吹干，得到UVIII曝光后的图形。
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