[发明专利]氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法有效
| 申请号： | 201410723315.9 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104480427A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱秋香;郑仁奎;李效民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法及其电荷浓度的原位调控方法，所述氧化锌基稀磁半导体薄膜的组成化学式为Zn1-xMnxO，其中0≦x≦0.75，所述制备方法包括：以Zn1-xMnxO陶瓷块为靶材，采用脉冲激光沉积技术在铁电单晶衬底上，沉积Zn1-xMnxO，得到所述氧化锌基稀磁半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 基稀磁 半导体 薄膜 制备 方法 及其 电荷 浓度 原位 调控 | ||
【主权项】：
一种氧化锌基稀磁半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锌基稀磁半导体薄膜的组成化学式为Zn1‑xMnxO，其中0≦x≦0.75，所述制备方法包括：以Zn1‑xMnxO陶瓷块为靶材，采用脉冲激光沉积技术在铁电单晶衬底上，沉积Zn1‑xMnxO，得到所述氧化锌基稀磁半导体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410723315.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
