[发明专利]双波长激光退火装置及其方法有效
申请号: | 201410723377.X | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN104392914B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 赵裕兴;韩伟 | 申请(专利权)人: | 苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/067 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 王玉国 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及双波长激光退火装置及方法,包含绿光激光器和红外激光器,绿光激光器的输出光路上依次布置扩束模块、绿光条形光斑整形模块和绿光45度反光镜,红外激光器的输出光路上依次布置红外条形光斑整形模块和红外45度反光镜,绿光45度反光镜和红外45度反光镜的输出光路设置有合束投影聚焦镜,合束投影聚焦镜的输出光路设有可变光阑,可变光阑的输出端正对于加工平台。通过光学组件调节使两束激光合于一束,经光学元件间配合调节转换后,由高斯圆形分布转换为条形高斯分布,合束后激光为条形光斑;红外波长的引入,使光斑具有更深的退火深度,使激光作用在材料表面瞬间温度升高,提高注入离子的激活率,具有更优异的加工效果。 | ||
搜索关键词: | 波长 激光 退火 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
双波长激光退火的方法,其特征在于:绿光激光器发出激光束经扩束模块扩束,扩束后的光束进入绿光条形光斑整形模块使输出的光束具有均匀的能量密度,继而,由绿光45度反光镜使光线路线折弯和传输;红外激光器发出的激光束进入红外条形光斑整形模块使输出的光束具有均匀的能量密度,继而,由红外45度反光镜使光线路线折弯和传输;绿光45度反光镜和红外45度反光镜反射的光束由合束投影聚焦镜聚焦为缩小的条形光斑,光斑在长轴为平顶分布,短轴为高斯分布,最后由可变光阑调整长轴条形光斑的长度,使能量分布为长条形激光光斑同时聚焦于加工件表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司,未经苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410723377.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜晶体管的制造方法
- 下一篇:一种在半导体器件中形成n型埋层的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造