[发明专利]用于柔性显示背电极的柔性TFT及其制备工艺有效
申请号: | 201410723682.9 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN104505369B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 林晓辉;徐厚嘉;平财明;方建聪;刘春雷;冯加友 | 申请(专利权)人: | 上海蓝沛信泰光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L23/522;H01L29/40 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201806 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种用于柔性显示背电极的柔性TFT及其制备工艺,在柔性基板上制作由栅极、源极和漏极组成且填充金属的若干单元并制作与源极和漏极相接触的碳纳米管;接着制作完全覆盖碳纳米管而不完全覆盖源极、漏极和栅极的绝缘层图形,再制备栅极跳线及其上带通孔的绝缘层薄膜;用导电墨水制作填充通孔且与漏极相接触并固化的导电薄膜;沿单元切割导电薄膜形成若干像素电极单元。本发明可以替代复杂昂贵耗时的传统柔性基板制备工艺,提高生产效率,降低生产成本;碳纳米管层通过喷印制备,不要求高温工作环境,不会造成柔性基材受热收缩弯曲。 | ||
搜索关键词: | 用于 柔性 显示 电极 tft 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于柔性显示背电极的柔性TFT制备工艺,其特征在于,所述制备工艺至少包括:(1)提供一设有微结构压印图形的柔性基板(10);所述微结构压印图形包括由栅极(101)、源极(102)和漏极(103)组成的若干单元;所述单元按矩阵分布且该矩阵中每列相邻单元共用一个栅极,每行相邻单元共用一个源极,该源极位于组成该两个相邻单元的栅极、漏极之间并延伸出所述栅极之外;并在所述压印图形所形成的沟槽内填充金属,形成导电线路;(2)在所述压印图形之上制作与所述每个单元的源极和漏极及其之间的沟道区相接触但不完全覆盖该单元源极和漏极的碳纳米管(11);(3)在所述碳纳米管上制作绝缘层图形(12);所述绝缘层图形完全覆盖碳纳米管;所述绝缘层图形与所述每个单元的源极、漏极和栅极及其间的沟道区相接触但不完全覆盖该单元的源极、漏极和栅极;(4)制备横置的T型金属结构作为栅极跳线(13);所述T型金属结构的双臂位于所述绝缘层图形上且与每列中相邻两个单元的栅极相接触;所述T型金属结构的主体部分在该柔性基板上的投影与每个单元的源极和漏极有重叠且其宽度不超出所述绝缘层图形的宽度;(5)在所述栅极跳线上制作一层覆盖所述若干单元且带有若干通孔的绝缘层薄膜(14),所述若干通孔位于所述每个单元的漏极之上;(6)在所述步骤(5)中带有通孔的绝缘层薄膜上利用导电墨水制作一层导电薄膜(15);导电墨水填充入所述通孔与所述漏极相接触并固化;(7)沿所述单元切割所述导电薄膜形成若干像素电极单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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