[发明专利]基于静电效应的非接触式硅片变形补偿装置及方法有效
| 申请号： | 201410723788.9 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105717749B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 朱树存;丁姗 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非接触式硅片变形补偿装置，包括正向气浮单元；所述正向气浮单元包括壳体和凹槽；静电吸附单元；所述凹槽内侧底部设置有静电极阵列；所述正向气浮单元包括若干设置在所述壳体上的进气口，用于导入压缩空气。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 静电 效应 接触 硅片 变形 补偿 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种非接触式硅片变形补偿装置，其特征在于，包括：正向气浮单元；所述正向气浮单元包括壳体和凹槽；静电吸附单元；所述凹槽内侧底部设置有静电极阵列；所述正向气浮单元包括若干设置在所述壳体上的进气口，用于导入压缩空气。
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