[发明专利]双向无损主动均衡装置有效
申请号: | 201410724447.3 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN104393651A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 陈宗海;张旭;汪玉洁;解竞;陈涛;张陈斌 | 申请(专利权)人: | 安徽贵博新能科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了双向无损主动均衡装置,包括主控电路、双向反激DC/DC电路、总体侧PWM波产生电路、单体侧PWM波产生电路、总体侧稳压电路、单体侧稳压电路、保护电路。本发明不需要外接储能元件,而是使用电池组代替储能元件。在单体电压过高是由电池单体对电池组充电使电池电压下降;当电池电压过低时由电池组对该电池进行充电使单体电压升高。本发明能够实现电池单体之间的均衡,在均衡开始时,均衡电路以恒定的电流对电池进行充电;当达到设定电压时以恒定的电压对电池充电。 | ||
搜索关键词: | 双向 无损 主动 均衡 装置 | ||
【主权项】:
双向无损主动均衡装置,其特征在于:包括主控电路、双向反激DC/DC电路、总体侧PWM波产生电路、单体侧PWM波产生电路、总体侧稳压电路、单体侧稳压电路、保护电路;所述主控电路包括单片机;所述单片机包括单体电池采集端和控制端,控制端包括SW1、SW2、CT1、CT2四个输出端口;所述双向反激DC/DC电路包括电阻R1~R4、电容C1~C4、二极管D1~D5、三极管Q1~Q2、变压器B1;所述双向反激DC/DC电路分为单体侧电路和总体侧电路;所述总体侧电路的构成是:电容C2与电阻R1并联后一端与变压器B1初级绕组的一端连接,电容C2与电阻R1并联后另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与变压器B1初级绕组的另一端连接;二极管D3的正极与变压器B1初级绕组的另一端连接,二极管D3的负极与三极管Q1的集电极连接,三极管Q1的发射极与电阻R2连接,二极管D2的负极连接到二极管D3的正极,二极管D2的正极连接到三极管Q1的发射极;电容C1的一端连接到电容C2与电阻R1并联后与变压器B1初级绕组的连接处且通过开关SW1引出,电容C1的另一端与电阻R2的另一端连接;三极管Q1的发射极引出为IS1端口,三极管Q1的基极引出为COUT1端口;所述单体侧电路的构成是:电容C4与电阻R3并联后一端与变压器B1次级绕组的一端连接,电容C4与电阻R3并联后另一端与二极管D4的负极连接,二极管D4的正极与变压器B1次级绕组的另一端连接;变压器B1次级绕组的另一端与三极管Q2的集电极连接,三极管Q2的发射极与电阻R4连接,二极管D5的负极连接到二极管D4的正极,二极管D5的正极连接到三极管Q2的发射极;电容C3的一端连接到电容C4与电阻R3并联后与变压器B1次级绕组的连接处且通过开关SW1引出,电容C3的另一端与电阻R4的另一端连接;三极管Q2的发射极引出为IS2端口,三极管Q2的基极引出为COUT2端口;总体侧PWM波产生电路包括电流模式PWM控制器U1、电阻R5~R6、电容C5~C7;所述电阻R5与电容C5并联且跨接在电流模式PWM控制器U1的COMP引脚、VFB引脚之间,且COMP引脚为COMP1端口,VFB引脚为VFB1端口;电流模式PWM控制器U1的ISENSE引脚为IS1端口,电流模式PWM控制器U1的RT/CT引脚依次串联电阻R6、电容C6后接地并设为VRE1端口,电容C7跨接在电流模式PWM控制器U1的RT/CT引脚和VRE1端口之间;电流模式PWM控制器U1的VREF引脚为VRE1端口,电流模式PWM控制器U1的VCC引脚连接到+12V电源,电流模式PWM控制器U1的VOUT引脚为COUT1端口,电流模式PWM控制器U1的GND引脚为接地端;单体侧PWM波产生电路包括电流模式PWM控制器U2、电阻R7~R8、电容C8~C10;所述电阻R7与电容C8并联且跨接在电流模式PWM控制器U2的COMP引脚、VFB引脚之间,且COMP引脚为COMP2端口,VFB引脚为VFB2端口;电流模式PWM控制器U2的ISENSE引脚为IS2端口,电流模式PWM控制器U2的RT/CT引脚依次串联电阻R8、电容C9后接地并设为VRE1端口,电容C10跨接在电流模式PWM控制器U2的RT/CT引脚和VRE1端口之间;电流模式PWM控制器U1的VREF引脚为VRE2端口,电流模式PWM控制器U1的VCC引脚连接到+12V电源,电流模式PWM控制器U1的VOUT引脚为COUT2端口,电流模式PWM控制器U1的GND引脚为接地端;所述总体侧稳压电路包括电阻R9~R11、可控硅二极管T1、光电耦合器P1;所述光电耦合器P1的阳极与可控硅二极管T1的阴极连接,光电耦合器P1的阴极通过电阻R11与可控硅二极管T1的阴极连接,电阻R9一端与可控硅二极管T1阳极连接且连接到总体电源正极;电阻R9的另一端与可控硅二极管T1的栅极连接且连接到电阻R10的一端,电阻R10的另一端与可控硅二极管T1的阴极连接且连接到总体电源负极;光电耦合器P1的集电极引出为COMP1端口,光电耦合器P1的发射极引出为VFB1端口;所述单体侧稳压电路包括电阻R12~R14、可控硅二极管T2、光电隔离器P2;所述光电隔离器P2的阳极与可控硅二极管T2的阴极连接,光电隔离器P2的阴极通过电阻R14与可控硅二极管T2的阴极连接,电阻R12一端与可控硅二极管T2阳极连接且连接到单体电源正极;电阻R12的另一端与可控硅二极管T2的栅极连接且连接到电阻R13的一端,电阻R13的另一端与可控硅二极管T2的阴极连接且连接到单体电源负极;光电隔离器P2的集电极引出为COMP2端口,光电隔离器P2的发射极引出为VFB2端口;所述保护电路包括电阻R15~R18、三极管Q3~Q5;所述三极管Q3的集电极与三极管Q4的基极连接,三极管Q4的集电极与三极管Q5的集电极连接且引出为COMP1端口;三极管Q3的基极通过电阻R15引出为CT1端口,三极管Q3的集电极通过电阻R16连接到电源+5V;三极管Q4的发射极通过电阻R18接地;三极管Q5的发射极接地,三极管Q5的基极通过电阻R17引出为CT2端口;所述主控电路、双向反激DC/DC电路、总体侧PWM波产生电路、单体侧PWM波产生电路、总体侧稳压电路、单体侧稳压电路、保护电路的同名端口相互连接。
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