[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410724754.1 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105720057A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵劼;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括一个或多个FinFET反相器，每个FinFET反相器包括至少一个PFinFET和至少一个NFinFET，PFinFET和NFinFET每一个均包括：多个鳍片结构，在衬底之上沿第一方向延伸；栅极，沿第二方向延伸而跨越多个鳍片结构；源区和漏区，分布在多个鳍片结构中并且在栅极的两侧；其中，PFinFET和NFinFET的栅极连接至输入节点，PFinFET和NFinFET的漏区连接至输出节点，PFinFET的源区连接至电源电压，NFinFET的源区接地；其中，PFinFET和NFinFET的衬底通过接触孔电连接至输入节点。依照本发明的半导体器件，将PFinFET和NFinFET的衬底短接至输入节点，通过同时偏压衬底而开启电路，可以有效增大器件的栅驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括一个或多个FinFET反相器，每个FinFET反相器包括至少一个PFinFET和至少一个NFinFET，PFinFET和NFinFET每一个均包括：多个鳍片结构，在衬底之上沿第一方向延伸；栅极，沿第二方向延伸而跨越多个鳍片结构；源区和漏区，分布在多个鳍片结构中并且在栅极的两侧；其中，PFinFET和NFinFET的栅极连接至输入节点，PFinFET和NFinFET的漏区连接至输出节点，PFinFET的源区连接至电源电压，NFinFET的源区接地；其中，PFinFET和NFinFET的衬底通过接触孔电连接至输入节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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