[发明专利]一种磁光晶体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201410724917.6 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105648531B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵向阳;王博;武安华;徐军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁光晶体材料及其制备方法，所述磁光晶体材料的组成化学式为Sm1‑xRxFeO3，其中，R包括Gd、Tb、Yb、Er中至少一种，x的取值范围为0.2‑0.8。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁光晶体材料在自旋电子器件中的应用，其特征在于，所述磁光晶体材料的组成化学式为Sm1‑xRxFeO3，其中，R为Tb，x为0.3，所述磁光晶体材料的单晶体自旋重取向温度范围在330K~360K之间，所述磁光晶体材料通过如下制备方法制备：1）根据所述磁光晶体材料的组成化学式，称量Sm2O3粉体、R2O3粉体和Fe2O3粉体，混合后在1000‑1200℃下预烧，然后研磨得到原料粉体；2）将步骤1）制备的原料粉体，先压制成圆柱体，再在垂直烧结炉中、1400‑1560℃下烧结得到多晶料棒；3）采用光学浮区法将步骤2）制备的多晶料棒用于生长晶体，籽晶为SmFeO3或RFeO3，光学浮区法的工艺参数包括：灯丝功率在65%‑70%，上下棒旋转速度每分钟10‑20转，生长速度1.0‑4.0mm/小时，晶体生长在空气气氛或氧气气氛中进行，其空气流量为每分钟2‑5L，氧气气氛时为每分钟0.2‑1L。
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