[发明专利]芯片级封装的发光二极管结构在审
| 申请号： | 201410725064.8 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105047805A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 翁明堃;邱国铭;颜世强;周孟松;林贞秀 | 申请（专利权）人： | 光宝科技股份有限公司;光宝光电(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;秦小耕 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，包含：一基板、多个覆晶式发光二极管晶粒、一导电结构及一透镜结构。基板具有一顶面及一底面，并形成多个穿孔。覆晶式发光二极管晶粒的数量为N个，且其面积总和相对于基板的面积的比值介于22.7％至76.2％之间。导电结构包括多个上焊垫组合、多个下焊垫及多个内连线。上焊垫组合的数量为N个，其各具有两个上焊垫，供与覆晶式发光二极管晶粒形成电连接。下焊垫的数量为N+1个，且彼此间隔地设置于基板的底面。内连线的数量为2N个，分别设置于穿孔之中，且两端分别连接于上焊垫与下焊垫。透镜结构设置于基板的顶面，并将覆晶式发光二极管晶粒包覆于内。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于，该芯片级封装的发光二极管结构包含：一基板，具有位于相反侧的一顶面及一底面，并形成多个贯穿至该顶面与该底面的穿孔；多个覆晶式发光二极管晶粒，数量为N个且各该覆晶式发光二极管晶粒具有一正电极与一负电极，所述覆晶式发光二极管晶粒设置于该基板的该顶面，且所述覆晶式发光二极管晶粒的面积总和相对于该基板的面积的比值介于22.7％至76.2％之间；一导电结构，包括多个上焊垫组合，数量为N个且各该上焊垫组合具有两个上焊垫，所述上焊垫组合彼此间隔地设置于该基板的该顶面并分别供所述覆晶式发光二极管晶粒设置其上，各该上焊垫组合的该两个上焊垫分别与各该覆晶式发光二极管晶粒的该正电极及该负电极形成电连接，多个下焊垫，数量为N+1个，且所述下焊垫彼此间隔地设置于该基板的该底面，及多个内连线，数量为2N个，且所述内连线分别设置于所述穿孔之中，且所述内连线的两端分别连接于所述上焊垫与所述下焊垫；及一透镜结构，设置于该基板的该顶面，并将所述覆晶式发光二极管晶粒包覆于内。
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