[发明专利]一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法

摘要

本发明公开了一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，以半导体硅基片作为衬底，在对硅基片进行合理预处理后，以酞菁类化合物为固体碳源，通过固相热裂解技术，在一定气氛条件下，调节反应温度、气氛种类、流速等条件，在硅基片上直接生长得到石墨烯膜，沉积有石墨烯膜的硅基片器件样片如摘要附图所示。且硅基片由于表面均匀覆盖石墨烯膜后，方阻测试达到1Ω·□^-1与铜导电性相当。本发明于非氢环境得到，无需金属作为催化剂，方法安全、环保、简单；得到石墨烯膜的厚度、结构、尺寸容易控制，且具有高度平面取向性；生长的石墨烯无需转移过程，便可直接用于制造各种器件，提高了器件的电学特性，可靠性，降低器件制造复杂性，有望实现工业化生产。

主权项

一种于硅基片上直接生长石墨烯膜的方法，其特征在于：采用硅基片作为衬底，经过合理预处理后将基片放入金属酞菁化合物与无机盐的混合物中，在一定的气氛，温度条件下，金属酞菁化合物热裂解，最终在硅基片上直接生长得到具有高度取向的石墨烯膜。