[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201410727562.6 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104465874A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;乔勇;王龙;卢永春 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/074;H01L31/032 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及新能源技术领域，公开一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层上形成n型半导体薄膜；在n型半导体薄膜上形成锗薄膜，利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的p型半导体薄膜，所述n型半导体薄膜与具有拓扑半导体特性的p型半导体薄膜配合形成p-n结；在p型半导体薄膜上形成第二电极层。通过该太阳能电池的制备方法制备的太阳能电池的电能转化效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层上形成n型半导体薄膜；在n型半导体薄膜上形成锗薄膜，利用功能化元素对锗薄膜进行拓扑化处理，以获得具有拓扑半导体特性的p型半导体薄膜，所述n型半导体薄膜与具有拓扑半导体特性的p型半导体薄膜配合形成p‑n结；在p型半导体薄膜上形成第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
