[发明专利]用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410728004.1 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN105708491B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 郑海荣;郭瑞彪;钱明;李永川;薛术;陈然然 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: A61B8/00 分类号: A61B8/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法首先制备出M*N型压电复合材料,溅射电极层后进行电极切割划分,此切割工艺将相对面的电极信号引线引在同一面。然后添加第一匹配层、第二匹配层和声透镜。最后用镂空的FPC板焊在面阵的行电极或列电极上。再添加背衬层,用外壳将以上制备的探头封装。采用压电复合材料阵列单面行、列接线方式,每个阵元的工作状态由电压在某一行(或列)、某一列(或行)的通或断来选择控制,减少引线数目。同时,采用单面集中引线方式更加简单、快捷、可靠。因此,对匹配层、背衬层是否导电没有限制,并且不用切割匹配层、背衬材料,降低了工艺难度和复杂度。
搜索关键词: 用于 刺激 神经 调控 超声 探头 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法;包括以下步骤:取精磨后的压电复合材料,沿其横向切割出M行凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;再沿其纵向切割出N列凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;其中,M行凹形槽和N列凹形槽的朝向一致;将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽体均磨去,使其露出添加的去耦材料,形成M*N压电复合材料阵列;将所述M*N压电复合材料阵列溅射电极层,去除所述M*N压电复合材料阵列沿厚度方向的第一长侧面、第二长侧面上的电极层;所述第一长侧面、所述第二长侧面沿所述M*N压电复合材料阵列的横向延伸;将所述M*N压电复合材料阵列的第一正面沿N列凹形槽去除电极层,保留所述第一正面纵向边缘的电极层且沿M行凹形槽切除横向的电极层;将所述M*N压电复合材料阵列的第一短侧面、第二短侧面、第二正面沿M行凹形槽去除电极层;将所述M*N压电复合材料阵列的第二正面依次粘接第一匹配层、第二匹配层及声透镜;将柔性电路板分别接所述M*N压电复合材料阵列的M行电极层和N列电极层;将背衬层与连接柔性电路板后的所述M*N压电复合材料阵列的电极层粘接,从而形成超声面阵探头;还包括将连接柔性电路板和粘接背衬层、第一匹配层、第二匹配层及声透镜后的所述M*N压电复合材料阵列使用外壳封装。
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