[发明专利]利用改进的基板材料用法制造含镓和氮的激光器件的方法有效
| 申请号： | 201410728015.X | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104836117B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·施泰因;迈尔文·麦克劳林;许博善;詹姆斯·W·拉林 | 申请（专利权）人： | 天空激光二极管有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了利用改进的基板材料用法制造含镓和氮的激光器件的方法。在实施例中，本发明提供一种用于制造含镓和氮的激光二极管器件的方法，包括：提供具有表面区域的含镓和氮的基板；形成与表面区域重叠的外延材料，所述外延材料包括n型包层区域、包括与所述n型包层区域重叠的至少一个有源层的有源区域、以及与所述有源层区域重叠的p型包层区域；使所述外延材料图案化以形成多个芯片，所述芯片中的每个均对应于至少一个激光器件，特征在于一对芯片之间的第一节距，所述第一节距小于设计宽度；将所述多个芯片中的每个转移至载体晶片，使得每对芯片均被配置为在每对芯片之间具有第二节距，所述第二节距大于对应于所述设计宽度的所述第一节距。 | ||
| 搜索关键词： | 节距 芯片 激光器件 外延材料 基板材料 区域重叠 源层 制造 激光二极管器件 载体晶片 图案化 源区域 基板 改进 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造含镓和氮的激光二极管器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的含镓和氮的基板；形成与所述表面区域重叠的外延材料，所述外延材料包括n型包层区域、包括与所述n型包层区域重叠的至少一个有源层的有源区域、以及与所述有源层区域重叠的p型包层区域；使所述外延材料图案化以形成多个芯片，所述芯片中的每个均对应于至少一个激光器件，特征在于一对芯片之间的第一节距，所述第一节距小于设计宽度；将所述多个芯片中的至少部分转移至载体晶片，使得每对转移的芯片均被配置为在每对芯片之间具有第二节距，所述第二节距大于所述第一节距并且对应于所述设计宽度，所述转移包括：选择性地移除一个或多个芯片的释放区域的至少部分，同时在所述一个或多个芯片与所述含镓和氮的基板之间保留固定区域完整，将所述一个或多个芯片选择性结合至所述载体晶片，以及通过使与所述一个或多个芯片中的每一个相关联的所述固定区域分离，同时所述外延材料的部分保持结合至所述载体晶片，以从所述含镓和氮的基板释放所述一个或多个芯片。
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