[发明专利]Flash程序存储器保护设计方法与硬件实现装置在审

专利信息
申请号: 201410728168.4 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN105718208A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 王海欣;邓冏;黑勇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/14;G06F21/60;G06F21/78
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种为满足汽车电子芯片高可靠性要求,采用安全模式、区域保护和擦写操作流程控制的方法,实现Flash程序存储器保护的设计方案及硬件实现。利用安全模式实现Flash程序存储器整体保护,非授权的渠道只有在非安全模式下才有对Flash程序存储器的访问权限;利用区域保护防止了受保护区域Flash程序存储器中的数据遭到无意或恶意的篡改;利用操作流程控制保护,通过操作过程规范化,防止非受保护区域数据非法或无意篡改,它在区域保护的基础上给Flash程序存储器又增加了一道保护墙,本发明的Flash程序存储器保护设计方案满足汽车电子芯片对于功能失效等高可靠性的要求。
搜索关键词: flash 程序 存储器 保护 设计 方法 硬件 实现 装置
【主权项】:
一种Flash程序存储器保护设计方法与硬件实现,包括:安全模式,由FPROT寄存器中的SEC[1:0]位决定,SEC[1:0]=2’b10的状态为非安全状态,其余状态均为安全状态,在复位后该寄存器的内容会被NVRI中的寄存器内容覆盖,该寄存器的内容不能由用户程序写入或修改;区域保护,由FPROT寄存器决定,FPROT寄存器在复位后由Flash程序存储器的NVRII复制到SFR的寄存器地址空间,如果Flash程序存储器中的任意一个区域被保护,则NVRII本身也被保护起来;擦除、编程流程控制,包括了Flash程序存储器的编程命令Byte Program以及擦写命令Sector erase和Mass Erase执行过程,如果违反操作流程,系统会提示Flash程序存储器访问错误。
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