[发明专利]一种低偏超辐射发光二极管在审

专利信息
申请号: 201410728250.7 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104466626A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 陈硕;刘占元;王爱民;古丽娟 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网智能电网研究院;北京大学
主分类号: H01S3/042 分类号: H01S3/042;H01S3/02
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种低偏超辐射发光二极管,包括管壳、管壳内的部件和光隔离器,所述光隔离器包括透镜、合光晶体、波片、磁环、旋光晶体和分光晶体,所述光隔离器集成与所述管壳内,通过在发光管内管芯之后增加透镜、分光晶体、旋光晶体、磁环和二分之一波片旋转光的偏振方向,再进行晶体合光之后经过透镜再耦合进入到输出光纤。整个隔离器均在管壳内部的热沉基底之上,这样的热沉能够保证整个光路系统的稳定性,不仅能够减小系统的空间体积,降低费用,同时热沉的控温能够确保整体系统的稳定性和可靠性。
搜索关键词: 一种 低偏超 辐射 发光二极管
【主权项】:
一种低偏超辐射发光二极管,包括管壳、管壳内的部件和光隔离器,所述光隔离器包括第二透镜(10)、合光晶体(8)、波片(9)、磁环(7)、旋光晶体(11)和分光晶体(6),其特征在于,所述光隔离器集成与所述管壳内。
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