[发明专利]一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法有效

专利信息
申请号: 201410729880.6 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104388952B 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 包小倩;高学绪;汤明辉;卢克超 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C23F17/00 分类号: C23F17/00;H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于稀土永磁材料领域,特别提供了一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法。其特征是烧结钕铁硼磁体的表面附着Dy/Tb元素后,经过1-100MPa的高压热处理,以加速Dy/Tb元素在烧结钕铁硼磁体晶界的扩渗,从而获得高矫顽力磁体。具体工艺步骤是先对钕铁硼磁体表面进行清洁处理,在洁净的钕铁硼磁体表面附着上Dy/Tb元素,然后对其进行高压热处理,使Dy/Tb元素在磁体晶界快速扩渗,再经过中温热处理使磁体边界结构得到进一步改善,最终得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明的突出优点是高压热处理可以加速Dy/Tb元素在晶界的扩渗,不仅可以处理厚度更大的样品,而且大大降低热处理温度和缩短热处理时间,显著提高效率。
搜索关键词: 一种 加速 烧结 钕铁硼 磁体 表面 dy tb 附着 层扩渗 方法
【主权项】:
一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法,其特征是在烧结钕铁硼磁体的表面附着Dy/Tb元素,随后对其高压热处理,压力范围1-100MPa,在加压的状态下同时进行热处理,以加速Dy/Tb在烧结钕铁硼磁体晶界的扩渗,从而降低热处理温度,改善磁体的磁性能,获得高矫顽力磁体;具体工艺步骤为:a.对烧结钕铁硼磁体表面进行清洁处理;b.在洁净的钕铁硼磁体表面附着上Dy/Tb元素形成Dy/Tb附着层;c.对有Dy/Tb附着层的烧结钕铁硼磁体进行高压热处理,先抽真空至(3‑5)×10‑3Pa,而后升温至600‑740℃,并充氩气提供所需的等静压力,压力范围为1-100MPa,保温0.5-2h;d.对经过高压热处理的磁体在400-600℃下保温1-3h进行中温热处理,进一步改善磁体的显微组织和边界结构;e.最终得到高矫顽力钕铁硼磁体;其中,步骤a所述的烧结钕铁硼是烧结态钕铁硼,或者是经过回火处理过的烧结钕铁硼;其中,Dy/Tb附着层是Dy,Tb中的一种或两种;其中,附着源是Dy,Tb纯金属,或者是含Dy,Tb的化合物;其中,附着源的附着方法是黏覆、溅射、气相沉积、电镀、电泳中的任意一种。
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