[发明专利]一种荷正电纳滤膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410730312.8 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN105709619B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 朱宝库;王纳川;崔月;肖玲;赵斌;王俊;陈良刚;陈清 申请(专利权)人: 海南立昇净水科技实业有限公司
主分类号: B01D71/44 分类号: B01D71/44;B01D71/40;B01D67/00;B01D69/02
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 刘晓春
地址: 571126 海*** 国省代码: 海南;46
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摘要: 发明公开了一种荷正电纳滤膜及其制备方法。所述荷正电纳滤膜的主要组分为叔胺型含氯共聚物A的自交联产物,或者含氯聚合物B与叔胺型聚合物C共混交联的产物。所述的荷正电纳滤膜的制备方法为:(1)将叔胺型含氯共聚物A,或将含氯聚合物B、叔胺型聚合物C溶解于制膜溶剂中,加入季铵化抑制剂,混合均匀制成制膜液,通过溶液相转化法从凝固浴中固化,制备成活性前体膜;(2)将制得的活性前体膜热处理,得到荷正电纳滤膜。本发明可以制成平板膜或中空纤维膜,制备过程中膜结构与性能可控性强、工艺简单,制造成本低、可实现清洁化生产,具有良好的工业化前景。
搜索关键词: 一种 电纳 滤膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种荷正电纳滤膜,其特征在于:所述纳滤膜的材料为共聚物A的自交联产物,或者含氯聚合物B与叔胺型聚合物C共混交联的产物,交联产物中的交联基团为氯化季铵盐基团,其中,所述共聚物A的结构式如下:式中:m+n=800~5000;m/n=10/1~1/1;R1=H或Cl;R2=H或CH3;R3=含叔胺基团;所述含氯聚合物B的结构式如下:式中:R1=H或Cl;x=800~5000;所述叔胺型聚合物C的结构式如下:式中:R2=H或CH3;R3=含叔胺基团;y=800~5000;所述荷正电纳滤膜的制备方法选自以下方法的任意一种:方法1:所述荷正电纳滤膜的制备方法包括如下步骤:(1)将共聚物A溶解在制膜溶剂中,加入季铵化抑制剂,混合均匀制成制膜液,通过溶液相转化法从凝固浴中固化,制备成活性前体膜;(2)将步骤(1)制得的活性前体膜热处理,得到荷正电纳滤膜;所述共聚物A的结构式如下:式中:m+n=800~5000;m/n=10/1~1/1;R1=H或Cl;R2=H或CH3;R3=含叔胺基团;方法2:所述荷正电纳滤膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将含氯聚合物B和叔胺型聚合物C溶解在制膜溶剂中,加入季铵化抑制剂,混合均匀制成制膜液,通过溶液相转化法从凝固浴中固化,制备成活性前体膜;(2)将步骤(1)制得的活性前体膜热处理,得到荷正电纳滤膜;所述含氯聚合物B的结构式如下:式中:R1=H或Cl;x=800~5000;所述叔胺型聚合物C的结构式如下:式中:R2=H或CH3;R3=含叔胺基团;y=800~5000。
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