[发明专利]一种磷酸氢根离子修饰的ɑ相三氧化二铁薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410730497.2 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104478227A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 薛松;刘侃;武全萍;王红艳;孙喆 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种磷酸氢根离子修饰的ɑ相三氧化二铁薄膜的制备方法，步骤如下：1）将基体FTO导电玻璃清洗、干燥后备用；2）将FTO导电玻璃浸没于磷酸盐与铁盐的混合水溶液后置于密封的反应釜中，在80-150℃的烘箱中反应5－10小时，冷却至室温后打开反应釜，取出FTO导电玻璃；3）在马弗炉中于400-800℃焙烧10－60分钟，得到磷酸根离子修饰的a相三氧化二铁薄膜。本发明的优点是：制备工艺简单、原料低廉、操作容易、制备成本低且清洁无污染；制得的a相三氧化二铁薄膜较薄，具有良好的电荷分离能力和催化放氧活性，降低了电子与空穴对复合的几率，提高了纳米三氧化二铁的光电催化分解水性能，有望在工业生产领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 离子 修饰 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磷酸氢根离子修饰的ɑ相三氧化二铁薄膜的的制备方法，其特征在于步骤如下：1）将基体FTO导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、乙醇、氯仿超声清洗，氮气干燥后备用；2）将磷酸盐与铁盐溶于水中，得到混合液，将FTO导电玻璃浸没于该混合液中，放置于密封的反应釜中，在80‑150℃的烘箱中反应5－10小时，冷却至室温后打开反应釜，取出FTO导电玻璃；3）将上述FTO导电玻璃在马弗炉中于400‑800℃焙烧10－60分钟，得到磷酸根离子修饰的a相三氧化二铁薄膜。
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