[发明专利]一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201410731135.5 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104465749A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;周德秋;倪毅强;贺致远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、衬底上的成核层、成核层上的氮化物半导体材料层，所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个在具有界面粗化插入层结构上生长的基本氮化物夹层。所述氮化物半导体材料层包括具有粗化界面的氮化物插入层和位于所述具有粗化界面的氮化物插入层上方的氮化物夹层，所述氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层。所述弛豫氮化物夹层包括铝和镓，并且包括所述多个具有界面粗化结构和弛豫氮化物夹层的氮化物半导体材料层具有至少2.0μm以上的总厚度。本发明的半导体外延层结构简单，通过插入具有粗化界面结构的氮化物夹层可以大幅度降低外延层材料漏电流、提高外延层材料的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厚膜高 耐压 氮化物 半导体 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种厚膜高耐压氮化物半导体外延结构，其特征在于，由下至上依次包括衬底、成核层、氮化物半导体材料层，所述氮化物半导体材料层包括在所述氮化物半导体材料层内被隔开的多个具有粗化界面结构插入层的基本氮化物复合夹层；所述氮化物半导体材料层包括具有粗化界面的氮化物插入层和位于所述具有粗化界面的氮化物插入层上方的氮化物夹层，所述氮化物夹层为一层弛豫氮化物夹层。
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