[发明专利]一种碳化硅晶体高温退火处理方法在审
| 申请号： | 201410732777.7 | 申请日： | 2014-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN104357913A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张政;孟大磊;徐永宽;徐所成 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶体高温退火处理方法，首先为防止高温阶段晶体表面的反向升华损伤，采用退火石墨坩埚，并在退火石墨坩埚底部放入一定量的高纯碳化硅粉料，装入碳化硅晶体，然后在高频感应加热炉内真空纯化处理，30min升温至1000~1100℃，充入Ar气至压力500~800mbar；3h升温至1800~2400℃，持续充入Ar气，流量为30~60ml/min，控制压力在100~300mbar，保温时间5~10h，然后以10℃/min缓慢降至室温后取出碳化硅晶体。经高温退火处理的碳化硅晶体内部热应力明显降低，避免了晶体滚圆、切割过程中的变形开裂现象，提高了碳化硅晶体加工成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 高温 退火 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）.在退火石墨坩埚底部均匀放入20~50g碳化硅粉料，以防止在高温阶段中碳化硅晶体表面的反向升华，将碳化硅晶体放置在退火石墨坩埚内，装配好石墨坩埚，并放置在晶体退火炉内的线圈中心部位；（2）.晶体退火炉密闭后进行抽真空处理，至真空度小于5×10‑5mbar，升温至1000~1100℃，升温时间30min；待真空度小于2×10‑5mbar后，充入Ar气至压力500~800mbar；（3）.升温至1800~2400℃，升温时间3h，持续充入Ar气，流量为30~60ml/min，控制压力在100~300mbar，保温时间5~10h，然后以10℃/min缓慢降至室温后取出碳化硅晶体。
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