[发明专利]一种A位Pr掺杂BIT薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410734035.8 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105655478A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 吴云翼;李帅;张华;吕琴丽;雷洋;刘晓鹏;王树茂;蒋利军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/47;H01L41/43;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种A位Pr掺杂BIT(钛酸铋)薄膜及其制备方法。该薄膜的组成分子式为Bi(4-11x/9)PrxTi3O12，x取值0.3-0.9。其制备方法包括：(1)以纯度均为分析纯的Bi2O3、TiO2和Pr6O11为原料制备A位Pr掺杂BIT靶材；(2)将A位Pr掺杂BIT靶材和衬底放入磁控溅射仪溅射腔，靶材与衬底间距为100-120mm，抽至6×10-4pa高真空，预溅射2-5h；(3)加热衬底温度至200℃-300℃，然后向溅射腔内充入氧气和氩气，使工作气压达到4-6Pa，氧气和氩气的流量比为4∶30-6∶30；(4)再次溅射，溅射功率80-100W，溅射时间2-3h，得到薄膜。(5)对薄膜进行快速退火，退火温度650-750℃，退火时间20-30min。本发明通过A位+3/+4价态Pr掺杂改善了薄膜的铁电、漏电流特性，提高了薄膜的剩余极化值、抗疲劳能力，达到了提高铁电存储器存储密度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pr 掺杂 bit 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种A位Pr掺杂BIT薄膜，其特征在于，该薄膜材料的组成分子式为Bi(4‑11x/9)PrxTi3O12，x取值为0.3‑0.9。
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