[发明专利]具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件。半导体结构包括在绝缘层的开口中形成的金属栅极结构。该金属栅极结构包括栅极介电层、阻挡层、位于栅极介电层和阻挡层之间的功函金属层、以及位于阻挡层上方的功函调整层，其中，功函金属具有有序的晶粒取向。本发明还提供了制造具有轮廓化功函金属栅电极的半导体器件的方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：金属栅极结构，形成在绝缘层的开口中，所述金属栅极结构包括：栅极介电层；阻挡层；功函金属层，位于所述栅极介电层和所述阻挡层之间，其中，功函金属具有有序的晶粒取向；以及功函调整层，位于所述阻挡层上方，其中，所述功函调整层的靠近所述阻挡层的部分中的具有均匀一致的分布的金属材料扩散穿过所述阻挡层的底部和侧壁，所述功函金属层的中心以及边缘处具有增大的所述金属的浓度，使得所述功函金属层具有凹形功函轮廓或凸形功函轮廓。