[发明专利]多层喷烧的蒸发壁式超临界水氧化反应器无效

专利信息
申请号: 201410734458.X 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN104445572A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 王冰;高超;刘志立 申请(专利权)人: 内蒙古天一环境技术有限公司
主分类号: C02F1/72 分类号: C02F1/72
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 刘玲
地址: 010011 内蒙古自治区*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明涉及一种多层喷烧的蒸发壁式超临界水氧化反应器,主要由筒体、上端盖、下端盖、烧嘴及蒸发壁构成,筒体与上端盖、下端盖分别固定安装,在筒体内安装蒸发壁,下端盖制有反应物出口,其特征在于:所述烧嘴为多层烧嘴,该多层烧嘴由一个安装于端盖中心的中心烧嘴及至少一个位于第一烧嘴下部的下层烧嘴构成,中心烧嘴与下层烧嘴之间有环状狭隙,中心烧嘴制有燃料与氧气混合物入口,下层烧嘴制有与所述环状狭隙连通的污水与氧气混合物入口。本发明结构设计科学合理,有效克服预热器、反应器、管路堵塞及腐蚀,减少蒸发壁用纯净水量,并能使反应器体积减小,降低贵重合金用量的多层喷烧的蒸发壁式超临界水氧化反应器。
搜索关键词: 多层 蒸发 壁式超 临界 氧化 反应器
【主权项】:
一种多层喷烧的蒸发壁式超临界水氧化反应器,主要由筒体、上端盖、下端盖、烧嘴及蒸发壁构成,筒体与上端盖、下端盖分别固定安装,在筒体内安装蒸发壁,下端盖制有反应物出口,其特征在于:所述烧嘴为多层烧嘴,该多层烧嘴由一个安装于端盖中心的中心烧嘴及至少一个位于第一烧嘴下部的下层烧嘴构成,中心烧嘴与下层烧嘴之间有环状狭隙,中心烧嘴制有燃料与氧气混合物入口,下层烧嘴制有与所述环状狭隙连通的污水与氧气混合物入口。
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