[发明专利]一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管在审
申请号: | 201410734575.6 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN105895802A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 郑亚开;唐莹;韦一;彭应全;陈真 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05 |
代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 王佳健 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管,属于微电子有机器件领域。现阶段水平结构的双极型有机场效应管载流子迁移率不理想,远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管,通过光刻法形成纵向叠加N型有源层与P型有源层的结构,由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型与P型有源层的交界面,增大了界面处激子的离解率,因而增大载流子迁移率。一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管可为制备高性能的双极型场效应管提供一种全新思路,对有机分立器件的发展或许有重大影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 纵向 结构 双极型 有机 场效应 | ||
【主权项】:
1.一种纵向叠层结构的双极型有机场效应管,由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加,其特征在于:所述有源层包括N型有源层与P型有源层,通过光刻法形成纵向叠加N型有源层与P型有源层的结构;所述P型有源层采用并五苯,所述N型有源层采用C60;所用并五苯有源层载流子迁移率小于C60有源层迁移率,故P型有源层比N型有源层多一层;当P型有源层载流子迁移率大于N型有源层迁移率时,P型有源层比N型有源层少一层。
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