[发明专利]一种复合沟道的有机场效应管

摘要

本发明公开一种复合沟道的有机场效应管，属于微电子有机器件领域。现阶段水平叠加的有机场效应管场效应特性不理想，远达不到现代集成电路工艺要求。本发明提出一种复合沟道的有机场效应管，通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。该结构增加了N型有源层与P型有源层的界面数量，增加了激子离解产生载流子的数量，故而改善了有机场效应管的场效应特性。一种复合沟道的有机场效应管可为制备场效应特性良好的有机场效应管提供一种全新思路，对有机场效应管商业化应用有着重要影响。

主权项

一种复合沟道的有机场效应管，由衬底、栅电极、栅介质层、有源层、源漏电极组成并依次叠加。其特征在于：通过采用光刻法和掩膜法形成水平、纵向叠加的复合有源层。