[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成初始掩膜层；对所述初始掩膜层进行掺杂处理，将初始掩膜层转化为掺杂掩膜层；在所述掺杂掩膜层表面形成具有第一开口的第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一开口刻蚀所述掺杂掩膜层，形成贯穿掺杂掩膜层的第二开口，且所述干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率；去除所述第一图形层。本发明干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率，因此无需形成有机分布层，避免有机分布层材料残留问题，提高初始掩膜层以及第二开口的洁净度，提高形成的半导体结构良率。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底与初始掩膜层之间形成有金属掩膜层；在所述基底上形成初始掩膜层；增大后续的干法刻蚀工艺对掩膜层的刻蚀速率，使得后续刻蚀去除相同厚度的掩膜层时所需的第一图形层的厚度变薄，其中，通过对所述初始掩膜层进行掺杂处理来增大后续的干法刻蚀工艺对掩膜层的刻蚀速率，将初始掩膜层转化为掺杂掩膜层，后续的干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率大于对初始掩膜层的刻蚀速率，当所述初始掩膜层的材料为氧化硅时，所述掺杂处理的掺杂离子为硅；在进行所述掺杂处理之后，对所述掺杂掩膜层进行退火处理，所述退火处理为微波退火，退火温度为300摄氏度至550摄氏度，以进一步提高干法刻蚀工艺对掺杂掩膜层的刻蚀速率；在所述掺杂掩膜层表面形成具有第一开口的第一图形层，第一图形层中不含有机分布层且厚度变薄；以所述第一图形层为掩膜，采用干法刻蚀工艺沿第一开口刻蚀所述掺杂掩膜层，形成贯穿掺杂掩膜层的第二开口；去除所述第一图形层。