[发明专利]MEMS器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410736247.X | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105645349B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;张校平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件的形成方法，包括提供衬底；在衬底上形成含碳的牺牲层；在所述牺牲层上以及牺牲层的侧壁覆盖材料层；刻蚀部分所述材料层，以在所述材料层中形成露出部分牺牲层的孔洞；通过所述孔洞进行刻蚀以去除所述牺牲层，形成由所述材料层与所述衬底构成的空腔。本发明的有益效果在于，形成的空腔整体性更好，并且可以降低去除牺牲层之后，在空腔中留有残留物的几率，进而有利于增加形成的MEMS器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成含碳的牺牲层；在所述牺牲层上以及牺牲层的侧壁覆盖材料层；刻蚀部分所述材料层，以在所述材料层中形成露出部分牺牲层的孔洞；通过所述孔洞进行刻蚀以去除所述牺牲层，形成由所述材料层与所述衬底构成的空腔；其中，形成牺牲层的步骤包括：在所述衬底上形成含碳的第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成有机物材料的第二牺牲层。
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