[发明专利]一种CVD成膜方法在审
| 申请号： | 201410736855.0 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104498909A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘力明;黄伟东;邓泽新;陈建伦;黄亚清;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 516006广东省惠州市仲恺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD成膜方法。所述包括：通过RPSC工序利用氟离子清洁反应室内部残留的薄膜；进行预处理工序，所述预处理工序为无晶片成膜工序：在反应室中不放置晶片，而通过反应气体在反应室中进行反应并成膜，以供产生的薄膜消耗RPSC工序后的氟离子；常规成膜工序，即将若干片晶片先后置于反应室中，通过反应气体在晶片表面反应成膜，并吸附在晶片上；循环上述步骤。应用本发明技术方案，能够减少CVD成膜中气泡产生的几率，从而提升半导体器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 方法 | ||
【主权项】：
一种CVD成膜方法，其特征在于，所述方法包括：通过RPSC工序利用氟离子清洁反应室内部残留的薄膜；进行预处理工序，所述预处理工序为无晶片成膜工序：在反应室中不放置晶片，而通过反应气体在反应室中进行反应并成膜，以供产生的薄膜消耗RPSC工序后的氟离子；常规成膜工序，即将若干片晶片先后置于反应室中，通过反应气体在晶片表面反应成膜，并吸附在晶片上；循环上述步骤。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
