[发明专利]一种碳化硅纳米管的电化学制备方法有效

专利信息
申请号: 201410737148.3 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN105714322B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 赵春荣;杨娟玉;卢世刚;于冰;余章龙;方升;王晗;王宁;齐小鹏 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00;B82Y40/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司11100 代理人: 刘秀青,熊国裕
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种碳化硅纳米管的电化学制备方法,以SiOx/C/催化剂复合多孔电极为阴极,石墨为阳极,置于包含金属化合物熔盐的电解质中,在阴极和阳极之间施加电压,进行电解,在阴极制备得到碳化硅纳米管;其中,SiOx/C/催化剂复合多孔电极中硅原子与碳原子的摩尔比为0.1‑2,催化剂与硅的摩尔比为0.01‑0.5。本发明具有工艺简单、制备温度低反应过程容易控制、成本低及易于连续生产等优点。采用本发明制备的碳化硅纳米管的直径约10‑100nm,纳米管长约50‑1000μm,该材料在高温恶劣环境下的纳米电子器件、增强材料、场发射材料、光催化、隐身材料、电化学储能等领域均具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 碳化硅 纳米 电化学 制备 方法
【主权项】:
一种碳化硅纳米管的电化学制备方法,其特征在于:以SiOx/C/催化剂复合多孔电极为阴极,石墨为阳极,置于包含金属化合物熔盐的电解质中,在阴极和阳极之间施加电压,进行电解,在阴极制备得到碳化硅纳米管;其中,SiOx/C/催化剂复合多孔电极中硅原子与碳原子的摩尔比为0.1‑2,催化剂与硅的摩尔比为0.01‑0.5。
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