[发明专利]一种适于RFID的高性能抗噪声比较器及RFID芯片在审
| 申请号： | 201410737238.2 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN104504354A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 胡建国;吴劲;段志奎;丁一;王德明 | 申请（专利权）人： | 广州中大微电子有限公司;广州华南物联网技术创新中心 |
| 主分类号： | G06K7/00 | 分类号： | G06K7/00;G06K19/07 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 510800 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适于RFID的高性能抗噪声比较器，所述比较器由两级差分运算放大器和两个反相器组成，由MP0提供电流偏置，两个P沟道MOSFETMP1和MP2构成了差分放大器；MN1、MN2、MN3和MN4作为差分放大器的负载；MP3、MP4、MN5和MN6做为运放的第二级放大单端输出。本发明还公开了一种RFID芯片，包括：天线、载波滤波器、信号放大器、估值量化模块、数字处理模块，其中所述调制解调器中还包括比较器，所述比较器由两级差分运算放大器和两个反相器组成。本发明实施例能够避免信号失真，不会让RFID阅读器接收到的信号给误调节，保证数据调解的真实性，提高了数据后续处理的正确率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 rfid 性能 噪声 比较 芯片 | ||
【主权项】：
一种适于RFID的高性能抗噪声比较器，其特征在于，所述比较器由两级差分运算放大器和两个反相器组成，由MP0提供电流偏置，两个P沟道MOSFET MP1和MP2构成了差分放大器；MN1、MN2、MN3和MN4作为差分放大器的负载；MP3、MP4、MN5和MN6做为运放的第二级放大单端输出。
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