[发明专利]一种超薄玻璃转接板的制作方法有效
| 申请号： | 201410738063.7 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104485288A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林来存;王启东;邱德龙 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 韩国胜;徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道20*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超薄玻璃转接板的制作方法，其包括以下步骤：1)清洗硅基载片并在硅基载片上制作铜质种子层；2)在所述种子层的上方涂一定厚度的光刻胶，经光刻工艺后，形成超高密度、极小尺寸的盲孔结构；3)采用bottom-up电镀工艺，制作无缝填充于盲孔中的金属铜柱；4)去除光刻胶和种子层并进行热退火处理，此时硅基载片上形成金属铜柱；5)采用玻璃回流工艺，使得软化玻璃材料完全包围金属铜柱，形成无缝接触结构，6)对回流后的玻璃材料进行平坦化并露出金属铜柱；7)进行顶层布线和底层布线。上述超薄玻璃转接板的制作方法可制作带有超高密度、极小尺寸的垂直互联结构的超薄玻璃转接板。工艺步骤简单，制作成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 玻璃 转接 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超薄玻璃转接板的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：1)清洗硅基载片并在硅基载片上制作铜质的种子层；2)在所述金属种子层的上方涂一定厚度的光刻胶，经光刻工艺后，形成超高密度、极小尺寸的盲孔结构；3)采用自底向上的电镀工艺，制作无缝填充于盲孔中的金属铜柱；4)去除光刻胶和种子层并进行热退火处理，此时硅基载片上形成金属铜柱；5)采用玻璃回流工艺，使得软化玻璃材料完全包围金属铜柱，形成无缝接触结构，6)对回流后的玻璃材料进行平坦化并露出金属铜柱；7)制作顶层布线并集成器件；然后去除硅基载片，制作底层布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410738063.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
