[发明专利]一种晶圆级封装中封盖的重复利用方法在审
| 申请号： | 201410738436.0 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104555898A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道20*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级封装中封盖的重复利用方法，其特征在于：其包括以下步骤：1)在封盖或晶圆上有传感器的一面的任一上做光阻墙；2)通过光阻墙将封盖和晶圆进行键合并对芯片的传感器区域实施保护；3)对晶圆做背部互联工艺，从晶圆背部进行切割使晶圆分离，但切割深度只到光阻墙的中部，不伤及封盖；4)对胶水进行失活处理，光阻墙和晶圆分离，取出分离的芯片或晶粒；5)去除封盖上的光阻墙或光阻墙残印，清洗封盖以备重复利用。上述晶圆级封装中封盖的重复利用方法只做一层光阻墙，且不会伤及封盖，使封盖可以重复利用，简化了工艺难度并降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 中封 重复 利用 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装中封盖的重复利用方法，其特征在于：其包括以下步骤：1)在封盖或晶圆上有传感器的一面的任一上做光阻墙；2)通过光阻墙将封盖和晶圆进行键合并对芯片的传感器区域实施保护；3)对晶圆做背部互联工艺，从晶圆背部进行切割使晶圆分离，但切割深度只到光阻墙的中部，不伤及封盖；4)对胶水进行失活处理，光阻墙和晶圆分离，取出分离的芯片或晶粒；5)去除封盖上的光阻墙或光阻墙残印，清洗封盖以备重复利用。
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