[发明专利]一种多晶硅锭的铸造方法在审
| 申请号： | 201410738635.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104451870A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 谭晓松;喻鹏晖;明亮;段金刚;黄俊;瞿海斌;陈国红 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;周栋 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭的铸造方法，该技术主要含以下步骤：（1）在铸锭用石英坩埚内底部均匀涂刷一层粘合层；（2）将纯度为99.9999％、粒径为10～100目的颗粒状硅均匀洒在粘合层表面，待粘合层干燥后，颗粒状硅牢固地粘合在坩埚内底部；（3）在颗粒状硅表面进行氮化硅涂层制备，并晾干待用；（4）在制备好的坩埚内装料铸锭，长晶时以底部未熔融的硅颗粒作为籽晶定向凝固生长，获得多晶硅锭。由本发明方法生产出来的多晶硅锭切成硅片后，硅片位错密度低，做成电池后，转换效率比普通多晶硅片的效率高0.2～0.6%，整锭硅片平均效率达18.0％。此外，采用本发明方法铸锭与普通多晶全熔铸锭工艺一致，具有易操作、成本低、铸锭得料率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 铸造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的铸造方法，所述方法在带有坩埚的铸锭炉内实现；其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）在坩埚内底部均匀涂刷一层厚度为0.001mm～5mm的粘合层；（2）将颗粒状硅均匀铺洒在涂有粘合层的坩埚内底部，颗粒状硅的铺洒密度为0.00001g/cm2～0.03g/cm2；（3）在坩埚内底部制备包裹有硅颗粒的氮化硅粉涂层；（4）向坩埚内装填硅料后送入铸锭炉铸锭，获得多晶硅锭。
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