[发明专利]LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410738682.6 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742453A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片，包括：衬底；在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；P型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最上端并与透明导电层电连接；N型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最下端的旁侧并与所述N型半导体层电连接。该LED芯片，通过设置阶梯状的透明导电层，可以有效减少电流拥堵，进而芯片的发光效率得到提高，寿命长、稳定性得到增强。本发明还提出一种LED芯片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；P型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最上端并与透明导电层电连接；N型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最下端的旁侧并与所述N型半导体层电连接。
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