[发明专利]基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法无效
申请号: | 201410739281.2 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104446637A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 丁军;祝洪喜;李光强;邓承继;柴志南;李君 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B38/06 | 分类号: | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法。其技术方案是:先以10~35wt%的碳酸盐粉、10~30wt%的氯化盐、20~30wt%的硅粉和20~30wt%的碳化硅粉为原料,混合;再外加所述原料3~10wt%的亚硫酸纸浆废液,搅拌0.4~0.6h,压制成型,干燥;然后在氮气气氛和1000~1400℃条件下烧结2~6h,自然冷却,水中浸泡24~48h,制得基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料。本具体实施方案具有合成温度低、生产成本低、易于工业化的特点。用该方法制备的基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料不仅具有优异的保温蓄热功能,还具有良好的力学强度及长的使用寿命,能取代现有保温材料。 | ||
搜索关键词: | 基于 介质 氮化 结合 碳化硅 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料的制备方法,其特征在于先以10~35wt%的碳酸盐粉、10~30wt%的氯化盐、20~30wt%的硅粉和20~30wt%的碳化硅粉为原料,混合;再外加所述原料3~10wt%的亚硫酸纸浆废液,搅拌0.4~0.6h,压制成型,干燥;然后在氮气气氛和1000~1400℃条件下烧结2~6h,自然冷却,水中浸泡24~48h,制得基于熔盐介质成孔氮化硅结合碳化硅材料。
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